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借助 SiC 技術(shù),實(shí)現(xiàn)三大設(shè)計(jì)自由

時(shí)間:2022-04-26 10:48:44    來(lái)源:電子工程網(wǎng)

來(lái)源:AVNET
作者:Milan Ivkovic

盡管 SiC 技術(shù)的性能和潛力毋庸置疑,但一些設(shè)計(jì)人員最初可能仍然會(huì)猶豫不決,無(wú)法下定決心使用 SiC 技術(shù)來(lái)處理新項(xiàng)目。

沒(méi)人喜歡無(wú)端冒險(xiǎn)。但與其他任何電子設(shè)計(jì)項(xiàng)目一樣,我們首先需要充分了解可用解決方案的要求和潛力。之后設(shè)計(jì)人員便會(huì)發(fā)現(xiàn),通過(guò) SiC 實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)自由能夠降低所有可知的風(fēng)險(xiǎn)。

隨著 SiC 技術(shù)進(jìn)入更多市場(chǎng)領(lǐng)域,設(shè)計(jì)人員可以實(shí)現(xiàn)一些新的自由,這些自由令人振奮,值得探索。其中包括簡(jiǎn)化電路拓?fù)?、縮小系統(tǒng)尺寸和提高能量密度。

首先我們來(lái)介紹一下背景:與 Si-IGBT 和 Si-MOSFET 相比,SiC MOSFET 電源系統(tǒng)能夠顯著降低系統(tǒng)成本,提高功率密度,改善效率,還可以通過(guò)降低能耗控制運(yùn)行溫度。深入了解 SiC 的優(yōu)勢(shì)之后,設(shè)計(jì)人員感到頗為振奮。

當(dāng)前,設(shè)計(jì)人員開(kāi)始采用基于 SiC 的技術(shù),以便保持競(jìng)爭(zhēng)力,降低長(zhǎng)期系統(tǒng)成本。這涉及到多方面的原因,包括:

· 降低總體持有成本:基于 SiC 的設(shè)計(jì)盡管需要前期投資,但能效更高,系統(tǒng)尺寸更小,可靠性也更高,因此能夠顯著降低系統(tǒng)成本。
· 解決設(shè)計(jì)難題:由于 SiC 的特性,設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)的設(shè)備可以縮小尺寸,降低運(yùn)行溫度,提高開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)承受更高的工作電壓。
· 提高可靠性,改善性能:通過(guò)縮小設(shè)備尺寸,降低運(yùn)行溫度,設(shè)計(jì)人員獲得了更大的自由,可以探索更具創(chuàng)新性的設(shè)計(jì)選項(xiàng),輕松滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

接下來(lái)我們將對(duì)一些關(guān)鍵的設(shè)計(jì)自由進(jìn)行詳細(xì)的探討。.

簡(jiǎn)單、高效的拓?fù)?/strong>

SiC 支持簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),能夠幫助設(shè)計(jì)人員高效完成工作,滿(mǎn)足了市場(chǎng)對(duì)高效功率密集型 DC/DC 和逆變器日益增長(zhǎng)的需求。

SiC 可以用兩電平拓?fù)浯嫒娖酵負(fù)?,降低了參?shù)控制難度,占用的空間更小,釋放的熱量也更少。

在功率因數(shù)校正 (PFC) 階段硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲?,?jiǎn)單的升壓(使用 SiC 二極管)和圖騰柱配置即可降低 SiC 的恢復(fù)損耗。若要使用Si-MOSFET達(dá)到相同的效率則需要更復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和數(shù)字控制。

SiC 可以在多電平拓?fù)渲信c Si 結(jié)合,從而提高性?xún)r(jià)比。以下是用于太陽(yáng)能或儲(chǔ)能逆變器的改進(jìn)型三電平有源中點(diǎn)鉗位 (ANPC) 拓?fù)涫纠?/p>

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系統(tǒng)尺寸縮小

設(shè)計(jì)人員永遠(yuǎn)面臨的壓力,是需要在更小的空間內(nèi)完成更多任務(wù)。值得慶幸的是,SiC 設(shè)計(jì)體積更小,重量更輕,并且可以支持更高效的逆變器和存儲(chǔ)系統(tǒng)。

伺服驅(qū)動(dòng)便是極佳例子。用于物體定位的伺服電機(jī)需要迅速響應(yīng),以便提高操作速度。因此,脈寬調(diào)制 (PWM) 頻率提高后,可以改善伺服系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。這便需要使用快速 IGBT 或 SiC 作為伺服驅(qū)動(dòng)逆變器級(jí)的開(kāi)關(guān)。

利用 SiC,設(shè)計(jì)人員可以設(shè)計(jì)出尺寸更小的驅(qū)動(dòng)器,其中很多都不需要主動(dòng)冷卻。獲得這種自由后,設(shè)計(jì)人員可以將驅(qū)動(dòng)器直接安裝在電機(jī)上。此外,設(shè)計(jì)人員還可以將 DC 總線直接連接到電機(jī),從而顯著降低電磁噪聲。

儲(chǔ)能功能增強(qiáng)

如今,能源消費(fèi)者也正在成為活躍的電力生產(chǎn)者。SiC 支持雙向功率流,能夠促成這種轉(zhuǎn)變。

數(shù)十年來(lái),儲(chǔ)能一直是發(fā)電、輸電、配電和電力消耗過(guò)程中不可或缺的一環(huán)。當(dāng)前,可再生能源發(fā)電領(lǐng)域發(fā)展迅速,需要更加可靠的電力傳輸,確保按時(shí)將電力輸送到相應(yīng)地點(diǎn).。

儲(chǔ)能系統(tǒng)提供了一系列技術(shù)方法,可用于管理能源供需,創(chuàng)建靈活的能源基礎(chǔ)設(shè)施,幫助公用事業(yè)公司和消費(fèi)者節(jié)約成本。

在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和太陽(yáng)能充電領(lǐng)域,我們看到了 SiC 支持的雙向功率流所存在的強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)。例如,電動(dòng)汽車(chē)和太陽(yáng)能系統(tǒng)用戶(hù)充滿(mǎn)電后,可以將部分電力出售給公用事業(yè)公司。一些 SiC 拓?fù)淇梢詫?shí)現(xiàn)更好的雙向流動(dòng),改善儲(chǔ)能系統(tǒng)。

下圖展示了太陽(yáng)能逆變器中 SiC 與 Si 的功率密度對(duì)比。

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主要優(yōu)勢(shì):Si ? Si / SiC 所帶來(lái)的的功率密度提升

數(shù)據(jù)手冊(cè):
· Si 逆變器 75kW
· Si / SiC 逆變器 150 kW

優(yōu)勢(shì):
· 顯著提高功率密度
· 在冷卻和重量方面降低成本

特點(diǎn):
· 6 x IFX Easy2B ANPC 模塊
· 26 x IFX EiceDrivers 1ED-F2

結(jié)語(yǔ):SiC 相對(duì)于 Si 所具有的優(yōu)勢(shì)

能量損耗降低 50%
系統(tǒng)尺寸縮小 10 倍
工作頻率提高 100 倍
快速開(kāi)關(guān)功能
高電壓操作

關(guān)鍵詞: 設(shè)計(jì)人員 功率密度 顯著降低 可以實(shí)現(xiàn) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

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