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全球資訊:采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

時間:2023-05-23 20:05:48    來源:電子工程網

“引言”

近年來,為了更好地實現自然資源可持續利用,需要更多節能產品,因此,關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝,其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。

文:英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cerezo


【資料圖】

逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率,從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。

在焊機行業,諸如提高效率、降低成本和增強便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢一直是促進持續發展的推動力。譬如,多個標準法規已經或即將強制規定焊機的電源效率達到特定水平。其中一個例子是,2023年1月1日生效的針對焊接設備的歐盟(EU)最新法規[2]。因此,對于使用功率模塊作為典型解決方案的10kW至40kW中等功率焊機,順應這些趨勢現在已變得非常困難。

英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝,大大提升了器件的熱性能和可靠性。結合特定的冷卻設計(“為了增加散熱,將器件單管直接貼裝在散熱片上,而未進行任何電氣隔離”[3]),它提供了更出色的器件單管解決方案(圖1)。它可實現更高輸出功率,提高效率和功率密度,并降低中功率焊機的成本。

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圖1:采用未與散熱片隔離的1200 V CoolSiC MOSFET單管的焊機電源

采用.XT擴散焊技術的CoolSiC MOSFET單管

增強型CoolSiC MOSFET 1200 V充分利用了基于英飛凌.XT擴散焊技術的改良型TO-247封裝。這項技術采用先進的擴散焊工藝。如[4]中所作詳細討論,這種封裝技術的主要優點是大幅減小焊接層的厚度(圖2),其中,特定的金屬合金結合可顯著提高導熱率。這一特性降低了器件的結-殼熱阻(Rthj-case)和熱阻抗(Zthj-case)。

這種焊接工藝可避免芯片偏斜和焊料溢出,并實現幾乎無空隙的焊接界面,從而提高器件的可靠性。此外,它提高了器件在熱-機械應力下的性能,這意味著器件在主動和被動熱循環測試條件下具有更出色的性能。總的來說,采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝的CoolSiC MOSFET 1200 V,可使焊機電源設計實現更好的熱性能和可靠性。

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圖2:英飛凌.XT擴散焊技術較之于常規軟焊工藝

采用CoolSiC MOSFET器件單管的500 A焊機電源逆變器設計

一家大型制造商的焊機,其獨特的500 A電源逆變器設計展示基于.XT擴散焊技術TO-247封裝的CoolSiC MOSFET 1200 V,用于中等功率焊機的改良型解決方案。它使用了前文探討的冷卻概念,如圖1所示,器件貼裝在散熱片上而不進行電氣隔離。此外,為了證實其具備更好的性能,在相同的測試條件下,將其與主要競爭對手的SiC MOSFET進行了對比。
焊機電源由一個三相輸入,全橋拓撲逆變器構成,使用了英飛凌提供的4顆TO-247 4引腳封裝的基于.XT互連技術(IMZA120R020M1H)的20 m? 1200 V CoolSiC MOSFET。表1列出了逆變焊接的基本技術規格:

表1:焊機電源逆變器基本技術規格

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