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SK海力士剛剛推出了業(yè)界最高層的NAND技術(shù)，采用高達(dá)1TbTLC封裝的321層設(shè)計(jì)。SK海力士推出321層TLCNAND、1Tb閃存技術(shù)，將于2025年1小時(shí)內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

該公司在8月8日至10日于圣克拉拉舉行的2023年閃存峰會(huì)(FMS)**上介紹了321層1TbTLC*4DNAND閃存的開發(fā)進(jìn)展，并展示了樣品。

SK海力士在業(yè)界率先詳細(xì)公布了300層以上NAND的開發(fā)進(jìn)展。公司計(jì)劃提高321層產(chǎn)品的完工水平，并于2025年上半年開始量產(chǎn)。

該公司表示，其在已量產(chǎn)的全球最高238層NAND的成功中積累的技術(shù)競爭力，為321層產(chǎn)品的順利開發(fā)鋪平了道路。“憑借解決堆疊限制的另一項(xiàng)突破，SK海力士將開啟300層以上的NAND時(shí)代，并引領(lǐng)市場。”

與上一代238層512Gb相比，321層1TbTLCNAND的生產(chǎn)率提高了59%，這得益于技術(shù)的發(fā)展，使得單芯片上可以堆疊更多的單元和更大的存儲(chǔ)容量，這意味著單片晶圓的總產(chǎn)能增加。

自ChatGPT的推出加速了生成式AI市場的增長以來，對(duì)能夠以更快的速度處理更多數(shù)據(jù)的高性能、大容量內(nèi)存產(chǎn)品的需求正在迅速增長。

相應(yīng)地，在FMS上，SK海力士還推出了針對(duì)此類AI需求優(yōu)化的下一代NAND解決方案，包括采用PCIeGen5接口和UFS4.0的企業(yè)級(jí)SSD。該公司期望這些產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的性能，以充分滿足客戶對(duì)高性能的需求。

SK海力士還宣布，已開始利用通過這些產(chǎn)品獲得的改進(jìn)的解決方案開發(fā)技術(shù)開發(fā)下一代PCIeGen6和UFS5.0，并表示致力于引領(lǐng)行業(yè)趨勢(shì)。

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